新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业发展迅猛。作为这些产业的“心脏”和“发动机”——用于能源产生、传输、使用的芯片更是市场追逐的宠儿。在南京市江宁区，依托中国电子科技集团公司第55研究所建设的宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室，利用新一代碳化硅、氮化镓等材料，在不到一毫米厚的芯片上做文章，为奔跑的电子设计性价比更高的“高速公路”。

比起传统以硅为原材料的电子器件，宽禁带半导体电力电子器件被誉为带动新能源革命的绿色能源器件，功率密度更大，效率更高。全球芯片市场数千亿美元，但高端核心芯片的技术掌握在其他国家。2000年左右，我国开始宽禁带半导体电力电子器件的研发工作。55所科技处韩春林说，这几年，55所投入数亿元全力打造这个国家实验室，就是为了在下一个10年占据电子元器件的技术高点。实验室主任柏松就是当时被55所从美国“挖”回来的专业人才。

进入实验室大楼之前，记者被要求“全副武装”地穿上工作服、帽子、鞋套和口罩。“你这还只是在走廊上参观，如果进入实验室内部，全身上下一点都不能露出来。任何细小的灰尘都会影响芯片制造的精准度。在这里，一立方米的空间里，1/30头发丝粗细的颗粒物不超过10个。”柏松带着记者参观时介绍，仅这数千平方米的实验室，里面的设备就价值10多亿元。比如光刻机，专门负责把专家们设计好的高速公路建造在芯片表面。而一台光刻机的价格就高达数千万元。