碳化硅陶瓷的烧结工艺
碳化硅陶瓷以其优异的抗热震,耐高温,耐磨损,耐热冲击,高热导,高硬度,抗氧化和耐化学腐蚀以及热稳定性好等特性,已经在石油,化学,汽车,机械和宇航等工业领域中获得大量应用。例如,碳化硅可以用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、涡轮增压器转子、燃气涡轮机叶片、反射屏和火箭燃烧室内衬等。
SIC是强共价键结合的化合物。因而,烧结时的扩散速率非常低。即使在2100℃的高温下,C和SI的自扩散系数也仅为所以, 碳化硅很难烧结,必须借助添加剂或外部压力或渗硅反应才能实现致密化。目前,制备高密度碳化硅陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结等。
通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的碳化硅部件。因此, 被认为是SIC陶瓷更有前途的烧结方法。采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SIC部件,而且一次热压烧结过程所制备的产品数量很小,因而不利于商业化生产。
热等静压工艺可以获得复杂形状的SIC制品,但必须对素坏进行包封,所以, 也很难实现工业化生产。
反应烧结工艺可以制备出复杂形状的SIC部件,而且其烧结温度较低。但是,反应烧结SIC陶瓷的高温性能较差。
一般来说,无压烧结SIC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SIC, 但是逊色于热压烧结和热等静压烧结的SIC。
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