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- 碳化硅陶瓷轴承[ 11-22 17:04 ]
- 碳化硅陶瓷轴承极限转速更高：陶瓷比钢轻，会减少运转离心力，从而在相同精度下提高极限转速。高精密场合：碳化硅陶瓷的硬度和杨氏模量都比钢更高，相同载荷下，机械变形更小，从而可以应用于更加精密的场合。使用寿命更长，最高可比钢轴承延长5倍：陶瓷比钢轻，同样载荷下，轴承运转离心力降低，滚道负载降低，而且由于陶瓷摩擦系数比钢小，因此能够降低运转温升，减少摩损，延长滚道的寿命。
- 不同结合相的碳化硅陶瓷[ 11-19 17:03 ]
- 在碳化硅中加入10%左右的 SiO2(微粉)，借助烧成过程在碳化硅颗粒表面氧化生成 SiO2薄膜，将碳化硅颗粒结合起来。因其原料纯度高，杂质量少，因此它的高温性能比粘土结合制品优良的多，但该制品的性能也受到成型工艺的影响。可在1200℃以上高氧气氛中使用。一般用来制作棚板和支柱等。
- 氮化硅结合碳化硅[ 11-18 16:55 ]
- 氮化硅的高温性能优良，可以用作碳化硅制品的结合剂，氮化硅结合碳化硅制品是近20年来发展起来的一种高科技碳化硅陶瓷材料。它的制作工艺是：在碳化硅颗粒混合物中，加入15%～25%的细硅粉，在氮化炉中通入高纯氮气，以一定的温度和压力制度氮化反应烧结，硅和氮生成α- Si3N4和β- Si3N4，把坚硬的碳化硅结合起来，形成致密的网络结构。因此，氮化硅结合碳化硅制品具有良好的物化性能、高温性能，使用温度达1500℃，在磨具、冶金和日用、电子陶瓷等行业得到广泛应用。作为窑具有着广阔前景。
- 碳化硅陶瓷散热片的特性[ 11-17 17:06 ]
- 碳化硅本身几乎不导电，是很好的绝缘体，是其他金属材料散热片所不具备的。金属材料要做到绝缘的话，必然是要进行表面氧化等处理方式，一方面增加了成本和工时，同时也会降低导热性能，综合考量陶瓷散热片是最适合的绝缘散热片。
- 重结晶碳化硅陶瓷[ 11-16 17:10 ]
- 经净化处理的碳化硅微粉和超微粉，混入一定量的结合剂，成型后在2200～2400℃烧成。碳化硅颗粒之间再结晶，而直接结合，碳化硅含量达99%。较以上各种结合相碳化硅制品，重结晶碳化硅制品，具有更高的热态机械强度、导热率、耐热震性及抗氧化性，是一种优质的碳化硅陶瓷。美国于30年代末期研制成功重结晶碳化硅制品。几十年来，美、德、英都有大量生产。我国在此方面的研究亦取得很大进展，已进行批量生产。
- 渗硅法碳化硅陶瓷[ 11-14 16:12 ]
- 渗硅法碳化硅制品是在重结晶碳化硅制品基础上进行液相或气相渗硅，使重结晶碳化硅的气孔由硅填充，生成更致密的SiSiC，性能更加优良。目前我国正进行SiSiC工艺和性能方面的研究，已有小批量生产。总之，碳化硅陶瓷优异的性能，已为人们所认识，得到广泛应用。目前，高性能的碳化硅陶瓷还处于研制开发阶段，从发挥碳化硅的优良性能，降低成本的目的出发，充分掌握材料组成、显微结构和性能之间的关系，是日后进行生产的保证，随着研究不断深入，其应用领域还将逐步拓展，市场前景极其广阔。
- 反应烧结碳化硅陶瓷[ 11-13 17:06 ]
- 在碳化硅中加入金属硅粉和碳(石墨、碳黑等)，在1450℃埋碳烧成，使硅粉与碳反应生成低温型β- SiC ，将原碳化硅颗粒结合起来。另一种方法：由碳与金属硅直接反应生成碳化硅制品，即用碳或碳与碳化硅成型，埋硅烧成。两方法均可制成性能良好的碳化硅制品。由于制品中一般含有游离硅8%～15%及少量游离碳，使其使用温度低于1400℃以下。其导热系数、耐冲击性良好，但强度、硬度、耐腐蚀性差。反应烧结碳化硅制品在烧结前后尺寸几乎不变，因此，成型后可加工成任意形状和尺寸，尤适合大规模、复杂形状的产品。
- 碳化硅陶瓷防弹片应用[ 11-10 17:10 ]
- 由于碳化硅纤维的抗张强度达到3GPa抗张模量达到220GPa,所以我们可以根据纤维自身细长的物理性质将纤维进行编织，编织呈致密的碳化硅陶瓷纤维板，然后将多层纤维板进行层层重叠成多层护板，利用编织空隙充当微裂纹，从而减少对护板的破坏程度更好地提高护甲性能。
- 碳化硅陶瓷耐磨结构件及其制造方法[ 11-09 16:59 ]
- 碳化硅陶瓷耐磨结构件，将以下成分的原料按所述重量百分比进行混合：石油焦45～55%、单质硅25～35%、纯净水19～30%、pH值在6.8～7.2之间的聚乙 烯醇1～2%。它的制造方法包括配料、制浆、制模、成形、干燥、修坯、烧结、精整等步骤。本发明采用碳化硅陶瓷代替传统的耐磨合金生产耐磨结构件，不仅具 有防腐防锈性能，而且高硬度、耐磨损、耐高温，使用寿命是高锰钢和高铬铸铁等耐磨金属的10倍以上，并且体积密度小，工件重量轻，可以降低运行时马达的功 率消耗，节约了能源，利于推广应用。
- 碳化硅陶瓷的合成与制备[ 10-31 17:05 ]
- 碳化硅很难烧结，其晶界能与表面能之比很高,不易获得足够的能量形成晶界而烧结成块体。碳化硅烧结时的扩散速率很低，其表面的氧化膜也起扩散势垒作用。因此，碳化硅需要借助添加剂或压力等才能获得致密材料。本制件采用Al-B-C作为烧结助剂。硼(B)在SiC晶界的选择性偏析减小晶界能，提高烧结推动力，但过量的B会使SiC晶粒异常长大。添加C(碳)可以还原碳化硅表面对烧结起阻碍作用的SiO2膜，并使表面自由能提高。但过多的碳，使制品失重，密度下降。铝(Al)有抑制晶粒长大的用，并有增强硼的烧结助剂作用,但过量的Al却会使制件的高温强度下降。因此,必须通过试验合理确定Al，B，C的用量。
- 碳化硅陶瓷板使用寿命[ 10-14 16:46 ]
- 碳化硅陶瓷板使用寿命很大程度上都是取决于碳化硅的生产工艺的合理性，看选择生产的是否合理性。制作卫生陶瓷，高压电磁等制品时，窑车上的棚架需要承担很大的荷重。因此碳化硅制品的强度就有很重要的意义。根据焙烧是的热应力来决定就可以用抗氧化性强的致密碳化硅材料是比较好的。
